日本大阪大學研究生院理學研究系化學專業副教授竹谷純一的研究小組采用涂布法制成了載流子遷移率高達5cm2/Vs的有機薄膜晶體管（TFT）。該大學在“nano tech 2010（國際納米科技綜合展）”（2月17日～19日）的日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）展區內，展示了這一成果。

　　大阪大學發現在硅底板上設置具有長方形截面的結構物時，滴落的有機液體會以結構物的截面為基點（生長核），朝著遠離截面的方向均勻固化的現象。大阪大學表示，利用這一現象，“能夠實現使用以往的生長核位置隨機確定的涂布法難以實現的高品質有機單晶體”。

　　大阪采用這種方法，制成了柵極長為100μm的有機TFT。這種TFT具有p型傳導特性，載流子遷移率為5cm2/Vs，開關比為105。只采用涂布法形成了通道，電極等則采用普通的氣相法形成。通道材料中使用了將BTBT（Benzothieno Benzothiophene）溶入庚烷（Heptane）的有機液體。

　　硅底板上的結構物采用了硅切片，不過還可采用像曝光抗蝕劑一樣與TFT制造工序具有較高親和性的材料。大阪大學表示，今后將面向顯示器驅動等用途推進TFT的陣列化，同時“驗證可在柔性底板上實現何種性能”（同大學）。