當前，新一代顯示技術競相發展，而Micro-LED是新一代顯示技術，比現有的OLED技術亮度更高、發光效率更好、但功耗更低。不少企業正持續加強前瞻性技術研發，提前布局Micro-LED等新型顯示技術。在2022中國國際Mini/Micro-LED產業技術峰會上，成都辰顯光電有限公司研發負責人曹軒以“玻璃基Micro-LED顯示技術的機遇與挑戰”為主題，分享了Mini/Micro-LED行業新機會的見解以及制備玻璃基Micro-LED存在的技術挑戰。

　　成都辰顯光電有限公司研發負責人曹軒

　　曹軒認為，Micro-LED顯示技術是下一代顯示技術，將重塑顯示產業的生態圈，主要應用于三大領域：一是大尺寸的顯示，主要應用在商顯和戶外大屏；二是玻璃基Mini/Micro-LED的顯示；三是AR、VR的微顯示技術。他表示，硅基Micro-LED作為一個高亮度、小體積的新興顯示技術，在微顯示上有非常出色的優勢，被認為是微顯示的終極技術。

　　那么，LED直顯有什么優勢呢？曹軒介紹，“LED直顯主要體現在高亮度、超長壽命和高色域，而我們更加關注的是它的功能優勢，且可能催生出一些差異化的終端應用，并使得Micro-LED率先進入產品化的節奏。”他認為，對比傳統的LCD和AMOLED顯示技術，LED直顯比較出色的功能優勢是在超大尺寸的拼接上。“LCD和AMOLED做拼接顯示的話不可避免的會有一個比較寬的邊框和比較明顯的拼縫。而Micro-LED與兩者的封裝方式完全不一樣，使用的是單顆像素的獨立封裝，這樣就可以將拼接產品的邊框做小，拼縫做到光學上不可見。”

　　同時，他也認為，LED直顯可以滿足交互器件、交互傳感的集成需求。因為LED是一個高亮度、高效率的發光器件，其發光面積很小，只占顯示像素的很小一部分，留出更多的空間給其他的功能器件做集成，包括指紋、光學器件，屏幕發聲等傳感器。

　　曹軒介紹，Micro-LED的關鍵技術主要涉及到上游的LED芯片制造到TFT背板巨量轉移，以及模組修復，到最后的終端產品。目前辰顯光電主要研究包括驅動架構設計、巨量轉移、修復模組的解決方案。

　　對比Mini-LED和Micro-LED整體的工藝流程，Micro-LED產業化有以下三個挑戰：一是LED器件水平與產品需求的矛盾。這個部分在Mini LED成熟產業鏈中有一個明確的解決方案，是以激光切割、點測、分選，將不同品質的LED器件分并做到不同的產品中，可以克服這個問題。而在Micro-LED的工藝流中沒有成熟的解決方案，包括檢測。

　　二是LED器件由于不斷變小，其轉移精度和數量都大幅上升，在Mini LED成熟產業鏈中的單顆固晶轉移的方式已經不能滿足Micro-LED的需求，因此需開發高效率、高精度的巨量轉移技術。

　　三是無縫拼接技術使得Micro-LED所需要的TFT與之前的LCD和OLED完全不一樣。

　　曹軒表示，巨量轉移技術屬于“百花齊放、百家爭鳴”的技術，但相對成熟的技術主要為：一是印章轉移技術，轉移的精度相當高，產業鏈相對成熟，但其轉移效率不夠高，主要應用于小尺寸顯示；二是激光轉移技術，轉移效率非常高，靈活性也很強，可以兼容分并的技術開發，但精度相對較低；三是流體轉移技術，這個特別適合高世代線、大尺寸面板的量產，但仍然無法實現高良率的三色轉移，需開發修復技術。目前辰顯光電主要選擇印章式轉移以及激光轉移作為其巨量轉移技術的開發方向。

　　他也指出，Micro-LED用的TFT與OLED的差異非常大。Micro-LED所用的TFT從工藝上有三個挑戰：一是要做側邊走線，以做到無邊框的拼接；二是背面也需要做走線，涉及到量產機臺；三是側邊走線涉及到無縫拼裝的光學封裝方案。除此之外，包括驅動架構、TFT的像素電路的設計，甚至TFT的器件性能要求本身都與OLED有巨大的差異。

　　曹軒也介紹了辰顯光電在Micro-LED技術上的研究進展。辰顯光電孵化自維信諾，于2017年在維信諾成立的Micro-LED項目組，經過三年的基礎研究，于2020年成立辰顯光電，進入了中試階段。2021年辰顯光電完成了中試線的建設，并且點亮了相關樣品，下一步將努力將Micro-LED更快的推向產業化。2021年7月20日成功點亮中國大陸首款視網膜級像素密度（326ppi）1.84英寸Micro-LED可穿戴產品；2021年底再次成功點亮可用于高端TV的12.7英寸Micro-LED拼接產品。

　　2022中國國際Mini/Micro-LED產業技術峰會錄播

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