1.正向電壓下降，暗光

　　A:一種是電極與發(fā)光資料為歐姆觸摸，但觸摸電阻大，首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。

　　B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸，首要發(fā)生在芯片電極制備進(jìn)程中蒸騰第一層電極時(shí)的擠壓印或夾印，散布方位。

　　別的封裝進(jìn)程中也能夠形成正向壓下降，首要緣由有銀膠固化不充分，支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩(wěn)定。

　　正向壓下降的芯片在固定電壓測(cè)驗(yàn)時(shí)，經(jīng)過(guò)芯片的電流小，然后體現(xiàn)暗點(diǎn)，還有一種暗光表象是芯片自身發(fā)光功率低，正向壓降正常。

　　2.難壓焊：（首要有打不粘，電極掉落，打穿電極）

　　A:打不粘：首要因?yàn)殡姌O外表氧化或有膠

　　B:有與發(fā)光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢，其間以加厚層掉落為主。

　　C:打穿電極：通常與芯片資料有關(guān)，資料脆且強(qiáng)度不高的資料易打穿電極，通常GAALAS資料（如高紅，紅外芯片）較GAP資料易打穿電極，

　　D:壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度，超聲波功率，超聲時(shí)刻，壓力，金球巨細(xì)，支架定位等進(jìn)行調(diào)整。

　　3.發(fā)光色彩區(qū)別：

　　A:同一張芯片發(fā)光色彩有顯著區(qū)別首要是因?yàn)橥庋悠�資料疑問(wèn)，ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄，成長(zhǎng)是很難確保各區(qū)域組分共同。（組分決議禁帶寬度，禁帶寬度決議波長(zhǎng)）。

　　B:GAP黃綠芯片，發(fā)光波長(zhǎng)不會(huì)有很大誤差，可是因?yàn)槿搜蹖?duì)這個(gè)波段色彩靈敏，很簡(jiǎn)單查出偏黃，偏綠。因?yàn)椴ㄩL(zhǎng)是外延片資料決議的，區(qū)域越小，呈現(xiàn)色彩誤差概念越小，故在M/T作業(yè)中有附近選取法。

　　C:GAP赤色芯片有的發(fā)光色彩是偏橙黃色，這是因?yàn)槠浒l(fā)光機(jī)理為直接躍進(jìn)。受雜質(zhì)濃度影響，電流密度加大時(shí)，易發(fā)生雜質(zhì)能級(jí)偏移和發(fā)光飽滿，發(fā)光是開(kāi)端變?yōu)槌赛S色。

　　4.閘流體效應(yīng)；

　　A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無(wú)法導(dǎo)通，當(dāng)電壓加高到必定程度，電流發(fā)生驟變。

　　B:發(fā)生閘流體表象緣由是發(fā)光資料外延片成長(zhǎng)時(shí)呈現(xiàn)了反向夾層，有此表象的LED在IF=20MA時(shí)測(cè)驗(yàn)的正向壓降有躲藏性，在運(yùn)用進(jìn)程是出于南北極電壓不行大，體現(xiàn)為不亮，可用測(cè)驗(yàn)信息儀器從晶體管圖示儀測(cè)驗(yàn)曲線，也能夠經(jīng)過(guò)小電流IF=10UA下的正向壓降來(lái)發(fā)現(xiàn)，小電流下的正向壓降顯著偏大，則能夠是該疑問(wèn)所形成的。

　　5.反向漏電：

　　A:緣由：外延資料，芯片制造，器材封裝，測(cè)驗(yàn)通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測(cè)驗(yàn)反向電壓。

　　B:不一樣類型的LED反向特性相差大：普綠，普黃芯片反向擊穿可到達(dá)一百多伏，而普芯片則在十幾二十伏之間。

　　C:外延形成的反向漏電首要由PN結(jié)內(nèi)部布局缺點(diǎn)所形成的，芯片制造進(jìn)程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測(cè)面，嚴(yán)禁用有機(jī)溶液分配銀膠。以避免銀膠經(jīng)過(guò)毛細(xì)表象爬到結(jié)區(qū)。