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      三星強調TSV的功能,“對促進移動DRAM和圖形DRAM的進化極為重要”

      編輯:kathy 2010-02-11 22:43:54 瀏覽:1211  來源:技術在線

        2010年2月7日,也就是半導體電路技術國際會議“ISSCC 2010”演講開始的前一天,以三維半導體技術為核心的技術論壇“Silicon 3D-Integration Technology and Systems”召開。其中備受關注的是韓國三星電子發表的“TSV Technology and its Application to DRAM”。三星電子從03年開始研發TSV(through silicon via),并探討該產品在DRAM及閃存上的應用。

        三星表示,尤其是在移動DRAM及圖形DRAM方面,TSV的重要性不斷提高。在移動DRAM方面,09年前后導入了LPDDR2接口產品(單芯片的數據傳輸速度為3.2GB/秒)。2013年前后亮相的新一代移動DRAM的單芯片數據傳輸速度要求達到12.8GB/秒。并且,單個內存芯片的耗電量“需要控制在0.5W以下”(三星)。這就要求兼顧數據傳輸速度和耗電量,“現有的單端方式的LPDDR2 DRAM無法實現。而比較有效的方法是在微處理器芯片上直接層積多個基于TSV、具有數百個輸入輸出端子的DRAM芯片”(三星)。三星稱,這種內存系統的TSV數量超過1000個。

        關于圖形DRAM,從兼顧數據傳輸速度及耗電量的角度來看,預計在不久的將來,現有技術就會碰到極限。關于GDDR5接口的新一代產品,三星表示“系統的數據傳輸速度要求達到512GB/秒以上,內存容量要求達到2GB以上”,F有的單端GDDR5 DRAM要想實現這一要求,“需使用16個單端子的、數據傳輸速度為8Gbit/秒的1Gbit產品,這是不現實的”(三星)。作為解決對策,“比較可行的方法是在GPU上層積多個圖形DRAM,然后利用TSV使其實現相互連接”(三星)。

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