一、OLED 的顯示

　　二、OLED 相關關鍵工藝

　　氧化銦錫(ITO)基板前處理

　　(1)ITO 表面平整度

　　ITO 目前已廣泛應用在商業化的顯示器面板制造，其具有高透射率、低電阻率及高功函數等優點。一般而言，利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO，易受工藝控制因素不良而導致表面不平整，進而產生表面的尖端物質或突起物。另外高溫鍛燒及再結晶的過程亦會產生表面約10 ~ 30nm 的突起層。這些不平整層的細粒之間所形成的路徑會提供空穴直接射向陰極的機會，而這些錯綜復雜的路徑會使漏電流增加。一般有三個方法可以解決這表面層的影響︰一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流，此方法多用于PLED 及空穴層較厚的OLED(~200nm)。二是將ITO 玻璃再處理，使表面光滑。三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好(如圖二所示)。

　　(2) ITO 功函數的增加

　　當空穴由ITO 注入HIL 時，過大的位能差會產生蕭基能障，使得空穴不易注入，因此如何降低ITO / HIL 接口的位能差則成為ITO 前處理的重點。一般我們使用O2-Plasma 方式增加ITO 中氧原子的飽和度，以達到增加功函數之目的。ITO 經O2-Plasma 處理后功函數可由原先之4.8eV 提升至5.2eV，與HIL 的功函數已非常接近。

　　加入輔助電極

　　由于OLED 為電流驅動組件，當外部線路過長或過細時，于外部電路將會造成嚴重之電壓梯度(voltage drop)，使真正落于OLED 組件之電壓下降，導致面板發光強度減少。由于ITO 電阻過大(10 ohm / square)，易造成不必要之外部功率消耗，增加一輔助電極以降低電壓梯度成了增加發光效率、減少驅動電壓的快捷方式。鉻(Cr：Chromium)金屬是最常被用作輔助電極的材料，它具有對環境因子穩定性佳及對蝕刻液有較大的選擇性等優點。然而它的電阻值在膜層為100nm 時為2 ohm / square，在某些應用時仍屬過大，因此在相同厚度時擁有較低電阻值的鋁(Al：Aluminum)金屬(0.2 ohm / square)則成為輔助電極另一較佳選擇。但是，鋁金屬的高活性也使其有信賴性方面之問題；因此，多疊層之輔助金屬則被提出，如：Cr / Al / Cr 或Mo / Al / Mo，然而此類工藝增加復雜度及成本，故輔助電極材料的選擇成為OLED 工藝中的重點之一。

　　陰極工藝

　　在高解析的OLED 面板中，將細微的陰極與陰極之間隔離，一般所用的方法為蘑菇構型法(Mushroom structure approach)，此工藝類似印刷技術的負光阻顯影技術。在負光阻顯影過程中，許多工藝上的變異因子會影響陰極的品質及良率。例如，體電阻、介電常數、高分辨率、高Tg、低臨界維度(CD)的損失以及與ITO 或其它有機層適當的黏著接口等。

　　三、OLED 的驅動技朮

　　四、具體點模塊SSD1332、65K、OLED5

　　五、用AT90S8515測試板（新測試板外部可以擴展8Mbit）

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