凸版印刷在次世代顯示材料透明氧化物半導體的薄膜電晶體上，以涂布方式，在形成薄膜的同時，將與動作速度相關的電子移動度提升至原本10倍的水準。一般而言，涂布方式可高效率形成氧化物半導體薄膜，但在動畫顯示切換TFT使用的電子移動度將降低，為其課題。加上電壓時的電子移動度達1V.s平均5.4平方公分，原本則僅為0.5平方公分。預計可應用于高精細、 畫面尺寸超過80寸的液晶面板或OLED顯示面板上。
原本成膜處理時間約需30分鐘，在改善成膜制程前后熱處理工法后，僅需2-3分即可。TFT的制程最高溫度為270度C，較一般方法低約100度C左右。藉由透明氧化物半導體涂布條件的改良， 2-3年后以達到150度C的熱處理為目標。
試作的顯示面板尺寸為2寸，采用玻璃做為TFT基板。以旋轉涂布方式，使材料形成薄膜，像素數達1寸平均400像素，實現與運用真空蒸鍍工法相同的高解析度。一般氧化物半導體采用真空蒸鍍的成膜工法，為達到真空全程需使用大型設備，旋轉涂布工法由于不需要真空設備，可達到降低成本的效益。
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