近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺之間氣體控制的精度，ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機(jī)Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺之間的刻蝕精度已達(dá)到0.2A（亞埃級）。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上，均得到了驗(yàn)證。該精度約等于硅原子直徑2.5埃的十分之一，是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的500萬分之一(圖1)。這是等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次創(chuàng)新突破，彰顯了中微公司在技術(shù)研發(fā)上的深厚積累，進(jìn)一步鞏固了公司在高端微觀加工設(shè)備市場的領(lǐng)先地位。

圖1. 氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圓在雙反應(yīng)臺上刻蝕速度的差別

在200片硅片的重復(fù)性測試中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的測試晶圓，在左右兩個反應(yīng)臺上各100片的平均刻蝕速度相差，各為每分鐘0.9埃，1.5埃和1.0埃。兩個反應(yīng)臺之間平均刻蝕速度的差別（≤ 0.09%），遠(yuǎn)小于一個反應(yīng)臺加工多片晶圓刻蝕速度的差別（≤ 0.9%）。

圖2.  氧化硅、氮化硅和多晶硅各200片晶圓在雙反應(yīng)臺上刻蝕速度的重復(fù)性

自2004年創(chuàng)立之初，中微公司始終堅持為達(dá)到設(shè)備的最高性能和滿足客戶最嚴(yán)要求而發(fā)開，致力于為客戶提供高刻蝕性能、高生產(chǎn)效率和節(jié)約生產(chǎn)空間的刻蝕設(shè)備。2006年，公司研發(fā)的第一代雙反應(yīng)臺電容耦合CCP刻蝕設(shè)備Primo D-RIE®在國際先進(jìn)的邏輯客戶的產(chǎn)線上成功得到核準(zhǔn)，隨之取得重復(fù)訂單，得到客戶的持續(xù)信任與支持。CCP的雙臺機(jī) Primo D-RIE®和Primo AD-RIE®的加工精度，兩個反應(yīng)臺的刻蝕重復(fù)性和在生產(chǎn)線上的重復(fù)性也早已達(dá)到和Primo Twin-Star®相同的水平。

在兩個反應(yīng)臺各輪流加工1000片的重復(fù)性測試中，兩個反應(yīng)臺的平均刻蝕速度相差，只有每分鐘９埃，小于1.0納米（圖３）。在海外先進(jìn)存儲器生產(chǎn)線上，全年加工的12萬片晶圓的全過程中，兩個反應(yīng)臺在兩個刻蝕應(yīng)用上刻蝕速度的差別1sigma小于0.7％（圖４）。

圖3. 2000片晶圓在Primo D-RIE®雙臺機(jī)的重復(fù)性測試

中微公司ICP雙反應(yīng)臺刻蝕機(jī)Primo Twin-Star®