韓國光子技術(shù)研究院10月18日宣布，已成功開發(fā)出“高效超細(xì)Micro-LED”，無論芯片尺寸和注入電流密度如何，該Micro-LED都能保持90%左右的內(nèi)部量子效率。

　　據(jù)韓國光子技術(shù)研究院稱，光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部的 Jonghyup Baek 博士團(tuán)隊(duì)、ZOGAN Semi 團(tuán)隊(duì)（Woongryeol Ryu 博士）和漢陽大學(xué)納米光電子學(xué)系（Jongin Shim 教授） ），開發(fā)出不受芯片尺寸和電流密度影響的高效超細(xì)Micro-LED。

　　此次開發(fā)的技術(shù)的特點(diǎn)是解決了因芯片尺寸減小而導(dǎo)致發(fā)光效率急劇下降的現(xiàn)象以及因注入電流增加而導(dǎo)致發(fā)光效率下降的現(xiàn)象，這對(duì)于無機(jī)Micro LED來說是一個(gè)難題。

　　此前，盡管無機(jī)Micro-LED作為電視、手機(jī)、AR和VR等超現(xiàn)實(shí)顯示光源潛力無窮，但其缺點(diǎn)是難以應(yīng)用于超高分辨率顯示由于芯片尺寸和電流密度的變化，發(fā)光效率發(fā)生嚴(yán)重波動(dòng)，因此產(chǎn)品出現(xiàn)了問題。

　　特別是在20μm以下的超微細(xì)尺寸下，不僅發(fā)光效率急劇下降，而且還存在驅(qū)動(dòng)顯示面板所需的低電流部分復(fù)合損耗嚴(yán)重增加等問題。光子學(xué)與技術(shù)學(xué)院和一個(gè)聯(lián)合研究小組在氮化物半導(dǎo)體上開發(fā)了p型氧化物，通過生產(chǎn)一種半導(dǎo)體以單晶形式沉積的新結(jié)構(gòu)，解決了無機(jī)Micro-LED的難題。

　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新結(jié)構(gòu)減輕了外延層中的應(yīng)力，提高了發(fā)光效率，并抑制了Micro-LED的物理應(yīng)力變化，無論外部電場或結(jié)構(gòu)如何。因此，即使芯片尺寸減小，所開發(fā)的結(jié)構(gòu)也顯著降低了表面非發(fā)光復(fù)合損耗并保持了高發(fā)光效率。

　　所開發(fā)的“超精細(xì)Micro-LED”結(jié)構(gòu)已被證實(shí)不僅在藍(lán)色方面有效，而且在綠色和紅色氮化物發(fā)光器件中也有效，因此有望生產(chǎn)由全彩組成的Micro-LED顯示器氮化物半導(dǎo)體。

　　韓國光子技術(shù)研究所所長Shin Yong-jin表示，“此次開發(fā)的低功耗、高效率的Micro-LED是超高分辨率顯示器的最佳光源，有望加速超高分辨率顯示器的商業(yè)化”。