為促進武漢市半導體產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，加快“光芯屏端網”產業(yè)集群建設，提升產業(yè)鏈現(xiàn)代化水平，經武漢市人民政府同意，特提出如下意見：

　　一、總體要求

　　（一）指導思想。以習近平新時代中國特色社會主義思想為指導，貫徹落實全市國民經濟和社會發(fā)展“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標、武漢工業(yè)高質量發(fā)展“十四五”規(guī)劃，加快補短板、鍛長板、強生態(tài)，打造“創(chuàng)新引領、要素協(xié)同、鏈條完整、競爭力強”的現(xiàn)代半導體產業(yè)體系。

　　（二）總體目標。到2025年，全市半導體產業(yè)能級明顯提升，產業(yè)結構更加合理，設備、材料、封測配套水平對關鍵領域形成有力支撐。

　　1.產業(yè)規(guī)模。到2025年，芯片產業(yè)產值超過1200億元，半導體顯示產業(yè)產值超過1000億元，第三代半導體產業(yè)初具規(guī)模。

　　2.技術水平。到2025年，發(fā)明專利年均增速超過15%，創(chuàng)建3—5個國家級創(chuàng)新平臺，牽頭制定2—4項行業(yè)標準，突破一批關鍵核心技術，實現(xiàn)一批關鍵技術轉化和應用。

　　3.市場主體。到2025年，培育形成5家銷售收入超過100億元的芯片企業(yè)、5家銷售收入超過100億元的半導體顯示企業(yè)、5家銷售收入超過10億元的半導體設備與材料企業(yè)，半導體企業(yè)總數(shù)超過500家，上市企業(yè)新增3—5家。

　　二、重點任務

　　（一）瞄準薄弱環(huán)節(jié)補鏈

　　1.增強集成電路設備、材料和封測配套能力。在設備環(huán)節(jié)，聚焦三維集成特色工藝，研發(fā)刻蝕、沉積和封裝設備，引入化學機械研磨（CMP）機、離子注入機等國產設備生產項目；在材料環(huán)節(jié)，圍繞先進存儲器工藝，開發(fā)拋光墊、光刻膠、電子化學品和鍵合材料，布局化學氣相沉積材料、濺射靶材、掩膜版、大硅片等材料項目；在封測環(huán)節(jié)，引進和培育國內外封裝測試領軍企業(yè)，突破先進存儲器封裝工藝，推進多芯片模塊、芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝等先進封裝技術產業(yè)化。

　　2.加快半導體顯示設備和材料國產化替代。在設備環(huán)節(jié)，聚焦有機發(fā)光二極管（OLED）中小尺寸面板工藝，研發(fā)光學檢測、模組自動化設備，引入顯示面板噴印、刻蝕機、薄膜制備等國產設備生產項目；在材料環(huán)節(jié)，支持液晶玻璃基板生產項目建設，加快OLED發(fā)光材料、柔性基板材料的研發(fā)及產業(yè)化，引入濾光片、偏光片、靶材等國產材料生產項目。

　　3.布局第三代半導體襯底及外延制備。在設備環(huán)節(jié)，支持物理氣相傳輸法（PVT）設備、金屬有機化合物氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工藝設備的研發(fā)及產業(yè)化；在材料環(huán)節(jié)，引進碳化硅（SiC）襯底、SiC外延、氮化鎵（GaN）襯底生產線，布局GaN外延晶片產線。

　　（二）立足現(xiàn)有基礎強鏈

　　1.打造存儲、光電芯片產業(yè)高地。在存儲芯片領域，重點引入控制器芯片和模組開發(fā)等產業(yè)鏈配套企業(yè)，研發(fā)超高層數(shù)三維閃存芯片、40納米以下代碼型閃存、動態(tài)隨機存取存儲器、三維相變存儲器、存算一體芯片等先進存儲芯片；在光電芯片領域，支持25G以上光收發(fā)芯片、50G以上相干光通信芯片的研發(fā)及產業(yè)化，布局硅基光通信芯片、高端光傳感芯片、大功率激光器芯片等高端光電芯片制造項目。

　　2.建設國內重要半導體顯示產業(yè)基地。在顯示面板領域，引進大尺寸OLED、量子點顯示、亞毫米發(fā)光二極管（MiniLED）顯示等面板生產項目，布局微米級發(fā)光二極管（MicroLED）顯示、激光顯示、8K超高清、3D顯示等未來顯示技術研發(fā)及產業(yè)化；在顯示模組領域，支持全面屏、柔性屏模組的研發(fā)及產業(yè)化，加快開發(fā)高端面板屏下傳感元件及模組，引入光學鏡頭、背光模組等生產項目，逐步提升對中高端面板的產業(yè)配套能力。

　　（三）聚焦熱點領域延鏈

　　1.通信射頻芯片。支持5G絕緣襯底上硅（SOI）架構射頻芯片、射頻電子設計自動化（EDA）軟件研發(fā)；面向5G基站、核心網、接入網等基礎設施市場，重點發(fā)展基帶芯片、通信電芯片、濾波器等關鍵芯片。

　　2.通用邏輯芯片。加快圖形處理器（GPU）、顯控芯片的開發(fā)及應用，提升知識產權（IP）核對中央處理器（CPU）、人工智能芯片等邏輯芯片的設計支撐能力，布局信創(chuàng)領域處理器項目。

　　3.北斗導航芯片。支持研發(fā)北斗三號系統(tǒng)的新一代導航芯片、28納米高精度消費類北斗導航定位芯片、新一代多模多頻高精度基帶系統(tǒng)級芯片；面向交通、物流、農業(yè)、城市管理等領域開發(fā)通導一體化北斗芯片，拓展北斗應用。

　　4.車規(guī)級芯片。推進數(shù)字座艙芯片、駕駛輔助芯片、功率器件、汽車傳感器等車規(guī)級芯片研發(fā)及產業(yè)化項目；面向新能源汽車，布局動力系統(tǒng)、主被動安全系統(tǒng)、娛樂信息系統(tǒng)、車內網絡、照明系統(tǒng)車規(guī)級芯片產業(yè)化項目。

　　（四）圍繞前沿領域建鏈

　　1.第三代半導體器件。圍繞電力電子器件、射頻器件、光電器件等3個應用方向，引入碳化硅（SiC）功率晶體管、氮化鎵（GaN）充電模塊、GaN功率放大器、高光效LED、MiniLED等器件項目；支持中高壓SiC功率模塊、GaN 5G射頻開關、紫外LED的研發(fā)及產業(yè)化，突破SiC絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、毫米波射頻器件、MicroLED關鍵技術。

　　2.量子芯片。支持單光子源、激光器、探測器等光量子芯片的研發(fā)及產業(yè)化；布局量子傳感器、量子精密測量器件等生產項目；開展量子通信、量子成像、量子導航、量子雷達、量子計算芯片共性前沿技術攻關。

　　三、產業(yè)布局

　　（一）打造相對完整的集成電路產業(yè)鏈聚集區(qū)。重點發(fā)展三維集成工藝、先進邏輯工藝，加快推進先進存儲器等重點制造項目建設；重點發(fā)展中高端芯片設計、IP核設計、EDA軟件等產業(yè)，加快推進精簡指令集（RISC—V）產學研基地建設；培育裝備、材料、零部件、封測等產業(yè)，加快推進硅基SOI半導體材料、光刻材料及電子溶劑、筑芯產業(yè)園等配套項目建設。

　　（二）構建差異化半導體顯示產業(yè)核心區(qū)。重點發(fā)展中小尺寸顯示面板、大尺寸顯示面板等產業(yè)，加快半導體顯示產業(yè)鏈向上下游延伸發(fā)展，培育核心設備、關鍵材料、模組、元器件、顯示終端等產業(yè)，推進華星t4、華星t5、天馬G6二期、京東方10.5代線擴產、創(chuàng)維MiniLED顯示產業(yè)園等項目建設。

　　（三）創(chuàng)建半導體特色產業(yè)區(qū)。重點發(fā)展光電芯片、第三代化合物半導體等產業(yè)，推進紅外傳感芯片制造、微機電（MEMS）與傳感工業(yè)技術研究院等項目建設；培育車規(guī)級芯片、工控芯片等產業(yè)，推進國家新能源和智能網聯(lián)汽車基地建設；培育顯示芯片、信息安全芯片等產業(yè)，推進國家網絡安全人才與創(chuàng)新基地建設；培育人工智能芯片、通用邏輯芯片等產業(yè)，推進國家新一代人工智能創(chuàng)新發(fā)展試驗區(qū)建設。

　　來源：武漢人民政府官網