近日，上海芯元基半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：芯元基半導(dǎo)體）宣布在Micro LED芯片研發(fā)上又取得重大進展，全屏點亮了適合微顯示的5μm Micro LED 芯片陣列，成功研發(fā)出16*27微米直顯用薄膜倒裝Micro LED芯片，突破了微顯示用Micro LED芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)。

　　? 5μm Micro LED芯片 8μm Pitch陣列全屏點亮實物圖

　　據(jù)芯元基半導(dǎo)體介紹，此次Micro LED 芯片陣列尚未鍵合到CMOS基板上，只是將所有陣列的8萬多顆芯片以并聯(lián)形式供電，開啟電壓為2.9V，在沒有任何電壓補償?shù)那闆r下，也就是每個芯片在相同電壓的情況下亮度均勻性已達到人眼觀看無色差感的程度。芯元基Micro LED產(chǎn)品性能的優(yōu)越性，源自于芯元基多年研發(fā)積累的特有襯底技術(shù)、外延技術(shù)和芯片技術(shù)的融合體現(xiàn)。

　　在此之前，芯元基半導(dǎo)體剛于本月初宣布通過其獨立知識產(chǎn)權(quán)的DPSS襯底技術(shù)、側(cè)向外延生長技術(shù)和化學(xué)剝離藍寶石襯底技術(shù)成功開發(fā)出了10-50μm的GaN基薄膜倒裝Micro LED芯片。

　　據(jù)了解，芯元基的側(cè)向外延生長技術(shù)可以把GaN外延層中的位錯密度降到10^7cm² (10的7次方每平方厘米)，而且還可以控制位錯的位置，將Micro LED陣列安排到?jīng)]有位錯的位置，解決困擾行業(yè)的不均性問題。

　　同時，芯元基獨創(chuàng)化學(xué)剝離藍寶石襯底技術(shù)，與行業(yè)現(xiàn)有的激光剝離藍寶石襯底技術(shù)相比，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)100%的剝離良率，而且對GaN，特別是InGaN量子阱無損傷，在規(guī)模化量產(chǎn)后具備較明顯的成本優(yōu)勢。此外，化學(xué)剝離藍寶石襯底技術(shù)還與現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)有非常好的兼容性，可以利用現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶圓臨時鍵合技術(shù)實現(xiàn)晶圓級巨量轉(zhuǎn)移。

　　在Micro LED芯片結(jié)構(gòu)上，芯元基半導(dǎo)體利用溝槽結(jié)構(gòu)取代了常規(guī)的臺面結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了P電極和N電極的等高，解決了驅(qū)動背板上的焊點和芯片電極高度不匹配的問題。據(jù)芯元基介紹，其芯片工藝保證了芯片只有一個具有納米粗化結(jié)構(gòu)的出光面，芯片的四周及其底部具有相應(yīng)的反射結(jié)構(gòu)，解決了顯示光串?dāng)_問題的同時，進一步提高顯示亮度。

　　據(jù)透露，芯元基半導(dǎo)體的Micro LED芯片可應(yīng)用于車載顯示、AR/VR等顯示領(lǐng)域，目前，產(chǎn)品已給面板廠家送樣，并拿到了研發(fā)用訂單。