作為未來顯示技術(shù)重要發(fā)展方向之一，印刷顯示已經(jīng)得到業(yè)界廣泛的認(rèn)可，吸引了TCL、JOLED等企業(yè)研發(fā)布局，相關(guān)產(chǎn)品也逐漸進(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用階段。在CIDC2020量子點顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)峰會上，TCL工業(yè)研究院研發(fā)總監(jiān)楊一行以“面向產(chǎn)業(yè)化的IJP-QLED顯示技術(shù)開發(fā)”為主題，介紹了目前IJP-OLED技術(shù)在產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用上取得的階段性進(jìn)展，也現(xiàn)場解讀面向產(chǎn)業(yè)化仍存在的諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。

　　TCL工業(yè)研究院研發(fā)總監(jiān)楊一行

　　為什么IJP-QLED技術(shù)會成為未來量子點技術(shù)重要發(fā)展趨勢？楊一行從材料形態(tài)和制造工藝兩個方面詳細(xì)分析了這個問題。他表示，從制造工藝來看，從傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝、3D打印、蒸鍍工藝，到噴墨印刷、巨量轉(zhuǎn)移工藝，整體呈現(xiàn)了從簡材制造向增材制造的發(fā)展趨勢，且朝著更高效、更綠色、材料利用率更高的方向發(fā)展；從材料來看，整體朝著無機(jī)半導(dǎo)體-有機(jī)材料-膠體量子點-微米LED-納米LED方向發(fā)展，材料構(gòu)成的復(fù)雜度也在增加，對材料的制備開發(fā)能力也在不斷提升。

　　他表示，通常把工藝和材料要素結(jié)合基本就能實現(xiàn)目前顯示領(lǐng)域大部分的顯示技術(shù)，比如傳統(tǒng)的LCD、日漸成熟的蒸鍍OLED、配合量子點材料的QD-OLED、CF光刻的WOLED，“從材料和制造工藝要素來看，目前IJP-QLED比較符合下一代量子點顯示技術(shù)發(fā)展趨勢。”

　　楊一行認(rèn)為，未來量子點技術(shù)路線主要聚焦于電致發(fā)光技術(shù)，該技術(shù)路線在色域、產(chǎn)品規(guī)格、產(chǎn)品形態(tài)、成本方面均具備優(yōu)勢，“未來量子點電致發(fā)光技術(shù)將是更能全面展現(xiàn)量子點發(fā)光材料各項優(yōu)勢的技術(shù)路線，但至于何時量產(chǎn)，仍受技術(shù)、市場、政策以及產(chǎn)業(yè)鏈等因素的影響。”

　　楊一行介紹，從技術(shù)層面來看，印刷QLED顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)化主要涉及印刷QLED材料、印刷QLED器件、印刷QLED工藝、產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)。產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)是關(guān)鍵，其中包括關(guān)鍵裝備、關(guān)鍵共性技術(shù)的開發(fā)、量產(chǎn)經(jīng)驗積累和產(chǎn)業(yè)鏈的壯大。目前TCL正重點布局產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)環(huán)節(jié)，推動關(guān)鍵設(shè)備、核心材料以及共性技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

　　關(guān)于目前TCL在印刷顯示領(lǐng)域取得的階段性的成果，楊一行表示，主要體現(xiàn)在四個方面：一是針對電致QLED應(yīng)用所開發(fā)的藍(lán)色量子點材料，實現(xiàn)藍(lán)色QLED器件壽命的顯著突破；二是已開發(fā)正置及倒置的頂發(fā)射器件結(jié)構(gòu)，替換導(dǎo)入商業(yè)化HIL/HTL，開發(fā)反射電極及透明電極，通過頂發(fā)射器件實現(xiàn)2倍以上性能提升；三是持續(xù)調(diào)整及優(yōu)化量子點打印墨水及工藝，開發(fā)基于頂發(fā)射器件結(jié)構(gòu)的打印工藝及制程，打印與旋涂實現(xiàn)100%效率、>50%壽命繼承；四是快速借鑒和繼承IJP-OLED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)成果、量產(chǎn)經(jīng)驗積累以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈。

　　與此同時，楊一行也指出，在IJP-QLED產(chǎn)業(yè)化方面仍然面臨著諸多問題待解決：

　　在材料方面，如何評價和篩選電致量子點發(fā)光材料？無鎘、少鎘量子點QLED開發(fā)未來如何有效推進(jìn)？在器件機(jī)理方面，需深入研究QLED器件機(jī)理的系統(tǒng)；尋找QLED研究的針對性表征測試方法。

　　在器件正向老化現(xiàn)象上，丙烯酸類封裝膠對于QLED器件有正向老化作用，丙烯酸類封裝膠無法在量產(chǎn)中使用導(dǎo)致嚴(yán)重的器件發(fā)光區(qū)域不均勻性，其作用過程倚賴擴(kuò)散過程，工藝不可控，對電極尤其是頂發(fā)射薄電極有破壞作用。

　　在器件測試方面，QLED器件發(fā)光區(qū)異常導(dǎo)致性能測試偏差，需逐步建立起QLED器件標(biāo)準(zhǔn)測試方法和流程。

　　在打印成膜方面，需要建立能夠有效評價打印成膜質(zhì)量的參數(shù)指標(biāo)和方法，從而建立起成膜質(zhì)量與打印器件性能的有效關(guān)聯(lián)，進(jìn)而能夠明確對應(yīng)于最優(yōu)打印器件性能的理想成膜狀態(tài)；另外，還有相鄰打印薄膜層之間的界面狀態(tài)影響。

　　在裝備方面，面臨高分辨率 (8K) 高世代 (G11) IJP 設(shè)備的技術(shù)挑戰(zhàn)。

　　備注：內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場速記整理