JOLED是日本OLED面板制造公司,由Sony、松下、JDI和日本產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)在2015年1月合并而成,自其成立開始,便帶有濃厚的神秘色彩。在16年9月舉辦的國際會議「International Conference on Flexible and Printed Electronics(2016年9月6~8日、山形大學(xué))」上,JOLED公司的負(fù)責(zé)人對JOLED的現(xiàn)狀和未來發(fā)展規(guī)劃進(jìn)行了詳細(xì)的解說。
JOLED的OLED技術(shù)
OLED成膜技術(shù)類型
OLED面板發(fā)光層的成膜技術(shù)分為RGB打印、白光蒸鍍和RGB蒸鍍?nèi)N(圖1所示),其中RGB蒸鍍需要使用高精細(xì)度的金屬Fine Mask,適合智能手機(jī)等小尺寸面板的量產(chǎn),而白光蒸鍍不使用Fine Mask,適合大尺寸面板的量產(chǎn),但是白光OLED面板需要使用Color Filter對白光進(jìn)行過濾,會導(dǎo)致3/4光的損失,使面板的色純度與發(fā)光效率成為一對矛盾的參數(shù)。
圖1 OLED成膜技術(shù)比較(JOLED提供資料)
目前大多數(shù)OLED面板公司都采用蒸鍍技術(shù),但蒸鍍制程需要真空環(huán)境和金屬M(fèi)ask,特別是RGB蒸鍍的方式,對金屬M(fèi)ask的精度要求很高,制造難度較大。另外,蒸鍍制程還存在TS距離、均勻性、材料利用率等問題。
打印技術(shù)的特征
RGB噴墨打印是指在大氣環(huán)境下將RGB材料分別打印在基板上的技術(shù),與蒸鍍技術(shù)不同,打印技術(shù)有很多優(yōu)點(diǎn):
不需要真空環(huán)境,設(shè)備投資較少,保養(yǎng)維護(hù)也較為容易;
不需要mask,基板也不用面向下放置,生產(chǎn)大尺寸面板較容易;
使用溶劑型材料,材料很難噴濺到其他地方,材料利用率很高,有利于量產(chǎn)的成本節(jié)約;
噴頭通用性強(qiáng),基板stage尺寸允許的情況下,設(shè)備能對應(yīng)不同尺寸的基板;
換線和保養(yǎng)時間短,能有效縮短生產(chǎn)節(jié)拍,提高生產(chǎn)效率。
目前JOLED正在開發(fā)RGB三種顏色的打印技術(shù),期望以其較高的生產(chǎn)效率來彌補(bǔ)蒸鍍技術(shù)的不足。但是打印使用的有機(jī)材料信賴性較差,為此JOLED特別制定了相應(yīng)的改善措施(如圖2所示)。從器件、制程、材料和設(shè)備的觀點(diǎn)出發(fā),JOLED認(rèn)為亮度和壽命是首先要解決的問題,制定了問題改善的路線圖(如圖3所示)。
圖2 打印技術(shù)的改善對策(JOLED提供資料)
圖3 打印技術(shù)改善路線圖(JOLED提供資料)
對于器件的亮度,JOLED以其2013年時做到的值為基準(zhǔn)(一倍),今年已經(jīng)做到了兩倍,預(yù)計2018年可以做到三倍。目前打印技術(shù)的研究所在京都,但從2016年開始轉(zhuǎn)移到石川縣,在那里建立一條4.5代(730mm×920mm)量產(chǎn)線,用于300PPI以上精細(xì)度打印OLED面板的量產(chǎn)。
背板技術(shù)
OLED與LCD不同,需要能通過大電流的TFT來做驅(qū)動,a-Si(非晶硅技術(shù))因為載流子遷移率太低,不適合做OLED的驅(qū)動。目前適合作為OLED驅(qū)動的TFT器件有LTPS(多晶硅技術(shù))和IGZO(金屬氧化物技術(shù))。
其中LTPS技術(shù)在大面積多晶硅形成上尚有一些問題需要克服,而且整體生產(chǎn)成本較高,而IGZO技術(shù)的載流子遷移率雖然不及LTPS技術(shù),但對于OLED也足夠用了,其最大的優(yōu)點(diǎn)就是在大面積生產(chǎn)時薄膜的均勻性較好,生產(chǎn)成本也相應(yīng)較低。目前JOLED主要開發(fā)IGZO技術(shù),但同時也在開發(fā)新的TFT制造技術(shù)。
IGZO TFT
對IGZO性能的要求,大致可以分為以下6項(圖4所示)。
圖4 IGZO TFT的性能要求(JOLED提供資料)
(1)光罩道數(shù)
光罩道數(shù)不對設(shè)備投資、光罩?jǐn)?shù)量等這些無塵室相關(guān)項目有很大的影響,對成品良率影響也很大。因此,各家公司都想以盡可能少的光罩道數(shù)來實現(xiàn)高性能、高良率的TFT器件。JOLED的TFT技術(shù)是其前身之一的Sony開發(fā)的整合型頂柵極構(gòu)造。
(2)載流子遷移率
OLED的驅(qū)動類型為電流驅(qū)動,驅(qū)動能力與載流子遷移率成正比,對于高精度和高開口率的面板來講,必須使用高遷移率的TFT驅(qū)動。但是IGZO的載流子遷移率比LTPS要低,而且只能實現(xiàn)N型構(gòu)造,無法制造出Si CMOS之類的MOS管結(jié)構(gòu),因此IGZO還存在周邊電路功耗的問題。
(3)信賴性
圖5表示的是IGZO TFT的特性,可以看出基板面內(nèi)特性的均一性。一般來說,濺射法使用的靶材容易有消耗不均勻的問題,會導(dǎo)致基板面內(nèi)薄膜沉積的不均勻,最終使TFT特性在基板面內(nèi)有偏差。圖5中有Biasstress的測試結(jié)果,考慮到實際使用的情況,在光照射下的測試也是必要的。
圖5 IGZO TFT的特性
(4)基板尺寸
對于大尺寸基板來講,IGZO技術(shù)比LTPS技術(shù)節(jié)省制造成本。不同世代都存在一個最佳產(chǎn)品尺寸,所以對于不同世代來講IGZO和LTPS沒有可比性,但從投資角度來講,相同基板尺寸下IGZO的生產(chǎn)成本較低。另外對于模組成本來說,IGZO與LTPS沒有太大的區(qū)別。
(5)生產(chǎn)性
IGZO制程較LTPS簡單,在制造上來講生產(chǎn)性會高一些。
(6)均一性
為了保證大面積內(nèi)特性的均一性,除了膜厚以外,氧化物半導(dǎo)體的元素比例也需要精確控制(4種元素),成分控制與堆積速度是一對相互制約的參數(shù),需要找出折中的最適合的值。
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