英諾賽科（珠海）單晶體新材料研發生產基地上，建材堆積、塵土飛揚，工人們要趕在近期完成主要廠房的內部裝修，以便從4月起陸續進駐大量生產設備。“預計5月20日廠房將達到生產條件，經過數月調試后，年內可投產。”該基地建設施工負責人告訴記者。

　　位于珠海高新區的英諾賽科單晶體新材料研發生產基地是全市產業領域的重點項目，計劃投資10.9億元。未來，依靠英諾賽科世界首創的SGOS（鍺硅晶體在藍寶石襯底上的外延生長）技術，珠海有望誕生全球頂尖的半導體產品。

　　四國專家組成研發團隊

　　據悉，英諾賽科公司總部位于美國，專注第三代半導體材料的研發和生產，與世界領先的航空航天機構有著穩定良好的合作關系，目前有26項科技成果獲得國際專利，并有其他40多項成果正在申請國際專利。其中，珠海公司是英諾賽科在中國落地的第一站。

　　英諾賽科珠海公司董事長駱薇薇主攻應用數學專業，曾在NASA（美國宇航局）工作多年，如今正為這家年輕的科技創業公司奔忙。“第三代半導體材料技術是目前全世界都非常關注的一種技術，也是我國科技創新亟待突破的基礎領域。”駱薇薇說，公司擁有國際上革命性的半導體晶圓片生長技術，也有最頂尖的科研團隊。據了解，半導體材料研發生產的技術含量很高，需要不同領域的專家參與研發。目前該公司核心團隊由中、美、德、韓四國專家組成。

　　駱薇薇介紹，英諾賽科自主研發的SGOS（鍺硅晶體在藍寶石襯底上的外延生長技術）屬于全球首創。“形象一點來說，這項技術就是將不同結構的晶體‘融合在一起’，讓它們同時‘生長’，最終長出集合不同晶體優勢的高性能單晶。”

　　基于這項技術生產出的半導體材料性能優良，可以用于制作各類芯片，芯片運行速度會比現在的主流產品快2至5倍。一旦量產成功，不僅可改變當前晶圓技術依賴國外的局面，還有望提升我國半導體材料產業的技術競爭力。

　　駱薇薇表示，英諾賽科珠海公司未來將致力于研發、生產和銷售半導體外延晶圓片、芯片、功率器件等，其生產的晶圓片能廣泛應用于車載設備、醫療設備、太陽能設備、衛星通訊設備乃至部分軍用設備等。

　　達產后年產值將達3.5億元

　　為了加快實現半導體材料大規模量產，早在2015年12月落戶珠海時，英諾賽科就計劃投入10.9億元在高新區建設單晶體新材料研發生產基地。去年6月底，項目正式動工。

　　該基地占地約1.4萬平方米，總建筑面積約2.5萬平方米，包括廠房、設備用房、宿舍、綜合動力站。其中，該基地潔凈廠房按照世界最高級別標準設計和建設，局部潔凈度達到10萬級，這樣的“無塵車間”已達到食品和部分藥品生產廠房標準。

　　“目前主體工程已完工，正在進行內部裝修和智能化系統安裝。”該基地建設施工負責人表示，按照規劃，英諾賽科珠海公司一期將引進近80臺生產設備，于4月至5月陸續進駐；到5月20日，整個基地將達到生產條件。經過幾個月的調試，該基地將于年內投產，“快的話，可能第三季度就能投產”。目前，英諾賽科珠海公司共有40多名員工，預計正式投產后，這一數字將翻3倍。

　　“英諾賽科研發生產中心綜合運用了世界最先進的設計理念，建成后將成為本地區最先進的生產研發基地，我們會在這里生產全世界最頂尖的半導體產品。”駱薇薇說，預計一期達產后，公司年產值將達3.5億元。