在2016中國平板顯示學(xué)術(shù)大會的TFT器件及相關(guān)技術(shù)的分論壇上，深圳市華星光電技術(shù)有限公司工程師周星宇作了題為《新型固相晶化法制備多晶硅薄膜晶體管及其性能優(yōu)化》的演講報告。以下為演講文字實錄：

　　固相晶化是有別于ELA的一種多晶硅化技術(shù)，指通過使固態(tài)下的非晶硅薄膜的硅原子被激活、充足，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜的晶化技術(shù)。但結(jié)晶過程時間較長，為了量產(chǎn)通常會將結(jié)晶溫度升高。

　　和傳統(tǒng)的技術(shù)比，我們新型的固相晶化技術(shù)可以使最短的時間內(nèi)成為多晶硅膜，我們的方法是可以在比較短的時間內(nèi)使得薄膜完全結(jié)晶。

　　這個技術(shù)的關(guān)鍵點是在TFT制成之前，與我們傳統(tǒng)的制作是一樣的，流程主要包括成晶，粒子的摻雜，然后是結(jié)晶，去掉摻雜，等等。在我們這個方法中有以下幾個關(guān)鍵的制成對它的影響比較大，三個因素影響著結(jié)晶的比例和速率。因為牽涉到蝕刻，就有一個蝕刻均勻性的問題，以及最后離子摻雜的問題。華星自主開發(fā)的技術(shù)遷移率達到50%，在非金屬誘導(dǎo)的結(jié)晶技術(shù)中，固相晶化的性能是最好的。IDW2015我們在國際上首次報道了這項新技術(shù)，目前已經(jīng)申請了相關(guān)專利19篇，我們在不斷的完善提高它。對于不斷的完善首先第一步我們對這個SPC結(jié)晶工藝的改善，最主要是兩方面的改善，其實我們還做了別的方面比較小的改善，第一是摻雜了改善的條件，我們以A和B的方式來改善，A是改善以前的，加入了一定的時間，結(jié)晶率不是很高，如果改善它的摻雜條件，在相同的結(jié)晶時間內(nèi)，它的結(jié)晶率可以更高，并且我們可以認為它達到了完全結(jié)晶的狀態(tài)，需要的時間就更少。第二個改善規(guī)模的整體條件，我們通過了反復(fù)的萃取，比如對比改善前后的條件，可以發(fā)現(xiàn)不光可以把完全結(jié)晶所需要的溫度降下來，也可以把時間縮短，這兩個都是很不容易的。目前的工藝也是可以在650攝氏度推廣15分鐘就可以完成完全結(jié)晶。

　　改善結(jié)晶的工藝，降低了完全結(jié)晶所需要的溫度和時間，它其實就是節(jié)省了成本，也保證了質(zhì)量。從我們在改善之后，我們制作的這個情節(jié)接觸比較好。漏電的降低主要歸結(jié)于多晶硅薄膜內(nèi)部缺陷的減少，是的載流子傳輸更為順暢，也減少了漏電的路徑。另一方面是可靠性的改善，薄膜結(jié)晶品質(zhì)的提升，可以改善電信，而且一定程度上改善了可靠性。結(jié)晶質(zhì)量改善的情況下，如果改善結(jié)晶工藝，它的薄膜結(jié)晶質(zhì)量變好以后，它甚至可以改善到2.5伏，但是這個值還是很大，我們不是很滿意。接下來就是怎么樣提高我們方法的可靠性，我們發(fā)現(xiàn)其實這兩種方法是不太一樣的，我們又做了大量的工作改善它的可靠性。主要包括三個方面，GI沉積前我們做了一些改善，另外調(diào)節(jié)GI的沉積條件。這是改善以后的測試圖，從數(shù)據(jù)看出我們關(guān)注的PPTS由改善前到改善后的2.5伏，優(yōu)化以后可以達到一伏，另外是NBTS雖然不是很多，但也有一定的改善，這都在一伏以內(nèi)，達到了比較好的可靠性。

　　我們采用了頂發(fā)光的結(jié)構(gòu)，2T1C電路驅(qū)動，NTFT作為開關(guān)TFT，PTFT作為OLED的驅(qū)動TFT。對于這項技術(shù)我們進一步的開發(fā)，既然做成了這樣的技術(shù)，它與我們目前8.5代線的兼容性更好，這個技術(shù)我們是剛剛在研發(fā)之中，只是做出來一個電信，它的器件性能還不是很好，有待于進一步的優(yōu)化。

　　最后把OLED面板刪除，我們得出的對比，我們的技術(shù)具有均勻性好，適用于大尺寸，可以制作CMOS，電性可靠性優(yōu)良等優(yōu)點。它的工藝可以更容易實現(xiàn)窄面框，未來將用在量產(chǎn)上，需要進一步的降低它的溫度，優(yōu)化器件的性能，使它成為一種高性能、低成本的技術(shù)。