日本東京大學開發(fā)出了基本結構與閃存相同，由有機材料組成的非揮發(fā)性內存“有機閃存”。該閃存具有擦除電壓僅為6V、讀取電壓僅為1V的特點。能夠耐受1000次以上的寫入/擦除。具備柔性性質，今后，隨著數(shù)據(jù)保存時間的進一步延長，該閃存將能夠應用于大面積傳感器和電子紙等大面積電子用途。

　　該有機閃存由東京大學大學院工學系研究科電氣系工學專業(yè)教授染谷隆夫與該專業(yè)助教關谷毅組成的研究小組開發(fā)。相關論文已刊登在《科學》2009年12月11日刊中。

　　染谷小組制作的是以PEN（聚鄰苯二甲酸酯）樹脂為底板，26×26個2T型內存單元在其上方排列為陣列狀的薄片。薄片具有柔性，即使彎曲至曲率半徑6mm，機械、電性質仍無劣化。其非揮發(fā)性內存功能也已經(jīng)過驗證。而且，通過與壓力傳感器集成，該內存陣列還可以制成能夠在薄片內保持壓像的“智能壓力傳感器”。

　　該內存被稱為有機閃存是因為使用了與Si閃存相同的“浮柵結構”晶體管。具體來說，PEN底板上由Al控制柵電極、絕緣膜、Al浮柵、絕緣膜、有機半導體并五苯以及Au源電極和柵電極組成。絕緣膜使用由AlOx和擁有烷基鏈（CH2-CH2-CH2-…）的一種磷酸組成的“自組裝單分子膜（SAM）”制成。SAM非常薄，僅厚2nm。

　　在過去，使用有機材料的非揮發(fā)性內存也曾有過試制先例。一種是使用鐵電體材料的類型。另一種是與這次類似的浮柵結構類型。但鐵電體材料內存的寫入/擦除電壓很難降低到20V以下。浮柵結構內存也存在著因擦除電壓高、絕緣膜厚度不均而造成的內存特性誤差、在大氣中不穩(wěn)定的課題。此次，通過使用無需控制厚度的SAM作為絕緣膜，特性誤差得到了抑制。而且，SAM在大氣中性質穩(wěn)定。

　　在目前，該閃存仍需解決數(shù)據(jù)保存時間僅為1天的課題。但研究小組稱，隨著元件的微細化和大分子長SAM的采用，保存時間有望得到大幅延長。（日經(jīng)BP社）