LTE設備市場的迅速增長對射頻前端的性能提出了前所未有的要求：擁有可以支持更多頻段的可擴展性;擁有可調諧的能力并且保證搞個理性，可以解決多通路同時使用時帶來的問題;對所有支持的漠視和頻段的切換，只需相對簡單的調整;有證競爭力的功放效能。而UltraCMOSGlobal1的應運而生為“一款可以全球范圍內使用的移動終端”的愿望提供了可行的思路。

　　作為行業中第一個全集成可配置射頻前端系統，UltraCMOSGlobal1集成了三通道MMMBPA(多模多頻段功放)模塊，PA切換開關模塊，天線切換開關模塊和天線調諧模塊等射頻前端需要的所有元件。支持包絡跟蹤技術，并具有通用的RFFEMIPI控制接口。

　　UltraCMOSGlobal1是一種易于使用的數字控制射頻前端，適用于一切模式和頻段，隔離性能好，解決了互操作問題。它可以擴展，輕而易舉地支持更多的頻段，而且開關損耗小，可調諧。其高水平的可重構能力得益于Peregrine半導體公司的UltraCMOS10技術平臺。UltraCMOS10是一種130納米的RF-SOI工藝技術，比起同類的解決方案，在性能方面提高了50%。UltraCMOSGlobal1就是在這個技術平臺上制造而成的。

　　Global1強化了可配置功率的概念。Global1對頻段和模式可配置的操作方法，改善了射頻性能。可配置的射頻和偏置設計，縮小了由于支持模式和頻帶不同給手機方案設計帶來的差異。另外，通過自動調諧的優化方法也加速了項目設計規劃。

　　值得一提的是UltraCMOSGlobal1集成了業界第一個LTECMOS功率放大器(PA)，其純PA性能達到了和GaAs工藝技術相同的水平，其性能高出同類產品10%。此外，對于LTE波形，在不同資源塊分配的情況下，UltraCMOSGlobal1功放的PAE性能與GaAs功放相當。

　　據悉，UltraCMOSGlobal1的平臺整合將在2014年完成，將于2015年實現量產。