在2010年5月23～28日于美國西雅圖舉行的全球最大顯示器國際學會“SID 2010”的研討會上，備受關注的一大動向是采用非結晶氧化物半導體IGZO（In-Ga-Zn-O）的TFT底板技術。在液晶面板方面，臺灣友達光電（AUO）發布的32英寸產品 在SID上引起轟動。而在有機EL面板方面，除了索尼的11.7英寸產品以外，韓國三星移動顯示器（Samsung Mobile Display，SMD）、韓國LG顯示器（LG Display ，LGD）和友達光電三家大型面板廠商進行了技術發布。

　　三星移動顯示器開發出采用蝕刻阻擋型TFT構造的19英寸產品

　　圖1：三星移動顯示器的19英寸產品。

　　 三星移動顯示器發布了曾經在2009年10月于太平洋橫濱會展中心舉行的“FPD International 2009”上展出過的19英寸有機EL面板。IGZO TFT采用七張掩模形成，因此IGZO層采用DC濺射法在室溫下成膜。TFT構造采用蝕刻阻擋（Etch Stopper）構造，除了由于源極和漏極的蝕刻處理等而產生的特性劣化外，還在TFT陣列形成后，在250℃下進行了一個小時的熱處理，從而提高了工藝的再現性。載流子遷移率為21cm2/Vs，亞閾值擺幅（Subthreshold Swing，S值）為0.29V/decade，導通截止比超過108。  

　　19英寸產品的像素數為960×540，精細度為58.4ppi。每個TFT像素配備了五個晶體管和兩個電容器（5T2C）。有機EL元件的元件構造為從TFT底板中提取光的底部發光（Bottom Emission）型。紅色采用了磷光材料，綠色和藍色采用了熒光材料。

　　LG顯示器通過源極和漏極來保護IGZO

　　圖2：LG顯示器的2.8英寸產品。

　　LG顯示器開發出了采用IGZO TFT的2.8英寸產品。此次開發的IGZO TFT改良了逆交錯型構造，采用了使用源極和漏極來保護IGZO層的構造。該公司在源極和漏極中采用了Mo/Ti。下側的Ti電極采用了可以覆蓋整個IGZO層的構造。將該Ti電極用作蝕刻上側Mo電極時的保護層，從而抑制了特性老化。然后，位于通道上部的Ti電極通過氧等離子體處理，成為了具有絕緣性的TiOx。  

　　制作的IGZO TFT的載流子遷移率為9cm2/Vs，亞閾值擺幅（S值）為0.78V/decade，導通截止比超過108。

　　友達光電采用同一平面型TFT構造

圖3：友達光電的2.4英寸試制品。  

　　友達光電發布的2.4英寸有機EL面板，與該公司的32英寸液晶面板一樣采用了同一平面（Coplanar）型TFT構造。載流子遷移率為6.2cm2/Vs，亞閾值擺幅（S值）為0.19V/decade，導通截止比超過107。  

　　2.4英寸開發產品的像素數為240×320。每個TFT像素配備了兩個晶體管和一個電容器（2T1C）。有機EL元件的元件構造為底部發光型。該產品曾經在FPD International 2009展出過。