新型144-Mbit 和72-Mbit SRAM可實現每秒21.32億次數據交換,使交換機和路由器的100-400 Gigabit線卡成為可能

　　靜態隨機存取存儲器市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，量產業界首款四倍速（QDR-IV ）SRAM。賽普拉斯的QDR-IV SRAM有144和72-Megabit (Mbit)兩種容量，可滿足下一代交換機和路由器的100-400 Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV SRAM是市場上性能最高的標準網絡存儲器解決方案。

　　對于不斷提升的線卡和交換速率來說，RTR（每秒完整隨機存取次數）是存儲器性能的重要指標。提升線卡速率的瓶頸在于查找表的處理、存儲器中統計和狀態計數的儲存，以及排序功能。QDR-IV器件的RTR能支持這些功能，實現更高帶寬和更高質量視頻流的傳輸。

　　賽普拉斯存儲產品事業部執行副總裁Dana Nazarian說：“全球的網絡流量持續快速增長，已經將網路架構推向極限。賽普拉斯新的QDR-IV解決方案催生了下一代高性能交換機和路由器，為滿足這一網絡流量的需求鋪平了道路。作為SRAM市場的領導者，我們不斷提高產品性能的標準，同時為客戶提供滿足各種標準的產品。”

　　業界對賽普拉斯QDR-IV SRAM的支持

　　Altera公司戰略營銷架構師Argy Krikelis說：“QDR-IV存儲器為需要400 Gbps速率的新興電信和數據中心網絡應用提供了高帶寬。Altera與賽普拉斯緊密配合，為客戶提供系統架構的支持，同時使用賽普拉斯的QDR-IV和Altera的Arria 10 FPGAs 及 SoC來滿足下一代系統要求。”

　　賽靈思公司FPGA產品管理與營銷高級總監Dave Myron說：“Xilinx® 的UltraScale™ FPGA器件現已發貨，其架構支持諸如賽普拉斯QDR-IV SRAM這樣的高性能存儲器，能為寬帶應用提供所需的靈活性。賽靈思和賽普拉斯已經建立起長期的戰略合作關系，加速產品的差異化設計，滿足我們共同的客戶對于下一代產品的需求。”

　　賽普拉斯的QDR-IV SRAM可以在兩字節突發（burst-of-two）或 分區式兩字節突發（banked burst-of-two）模式下工作，因而能在所有的QDR SRAM中擁有最快的時鐘速率和最高的RTR。分區式兩字節突發工作模式下的最高頻率為1,066 MHz，RTR可達每秒21.32億次傳輸（2132  MT/s）。而在標準的兩字節突發工作模式下能達到的最高頻率是667 MHz，RTR則為1334 MT/s。與以往的QDR SRAM所具有的450 MHz 頻率和900 MT/s RTR相比，這兩種工作模式下的產品性能都有了顯著改進。

　　QDR-IV由QDR聯合體進行開發。該組織成員共同制定SRAM標準，以確保多個供應商保持供貨的穩定性。

　　供貨情況

　　144-Mbit CY7C41xxKV 和72-Mbit CY7C40xxKV QDR-IV SRAM現已批量供貨，封裝方式為361焊球球柵陣列倒裝芯片封裝（FCBGA）。