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      TI推出14款功率MOSFET 壯大NexFET產品陣營

      編輯:admin 2014-03-31 12:01:42 瀏覽:747  來源:電子工程專輯

        電源德州儀器(TI)宣布推出14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET,其支持40V至100V輸入電壓,進一步壯大了TI普及型NexFET產品陣營。高效率NexFET包括 40V、60V、80V以及100V N通道器件,可為廣泛大電流電機控制及電源應用提供優異的散熱性能。

        最低導通電阻

        兩款最新80V及100V NexFET器件可在不影響高柵極電荷的情況下,通過TO-220封裝實現業界最低導通電阻,從而可在更大電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506可在高達80V的輸入電壓下支持2.0毫歐姆的導通電阻,而CSD19536則可在100V輸入電壓下支持2.3毫歐姆的導通電阻。這兩款產品都采用支持高雪崩性能的塑料封裝,支持高應力電機控制應用。此外,設計人員還可通過訪問TI獲獎的WEBENCH在線設計工具便捷選擇最新產品,模擬電源設計。

        簡單易用的評估板

        TI還基于60V NexFET產品推出了幾款簡單易用的評估板,都可通過TI eStore訂購:

        ●步進電機前置驅動器:DRV8711EVM評估板基于DRV8711步進電機控制器,與NexFET器件搭配,可驅動一個大電流雙極步進電機或兩個有刷DC電機;

        ●電機驅動BoosterPack:BOOSTXL-DRV8301套件是基于DRV8301前置驅動器的10A三相位無刷 DC 驅動級,適用于學習無傳感器無刷控制技術以及驅動級設計的人員;

        ●數字電源:UCD3138PSFBEVM-027可幫助電源開發人員設計數控移相離線12V、360W電源轉換器應用;

        ●負載點控制:TPS40170EVM-597評估板支持TI具有2個NexFET器件的TPS40170同步降壓控制器。

        關于NexFET功率MOSFET

        TI NexFET功率MOSFET技術可提升高功率計算、網絡、工業以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率MOSFET可為系統設計人員提供現已上市的最高級DC/DC電源轉換解決方案。

        供貨情況

        CSD19506KCS與CSD19536KCSN通道器件現已開始批量供貨,可通過TI及其授權分銷商全球網絡進行訂購。每款產品都采用3引腳標準TO-220封裝。此外,TI還提供采用無引線5毫米 × 6毫米SON封裝的 40V、60V、80V以及100V FET。

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