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      新海宜:LED牛市催生增長(zhǎng)動(dòng)力 2016產(chǎn)值將達(dá)10億
      技術(shù)中心

      新海宜:LED牛市催生增長(zhǎng)動(dòng)力 2016產(chǎn)值將達(dá)10億

      摘要:新海宜周(8)日晚間發(fā)布配股公告,公司擬以3.61元/股的價(jià)格實(shí)施配股,募集不超過(guò)4.8億元資金,助力公司“深度轉(zhuǎn)型”。資料顯示,公司目前處于主營(yíng)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型升級(jí)的關(guān)鍵時(shí)期,其中, LED芯片業(yè)務(wù)因恰逢行業(yè)景氣顯著回升而受到各路機(jī)構(gòu)關(guān)注。 配股說(shuō)明書(shū)顯示,

      閱讀:11962014年06月25日 14:52:57
      “八問(wèn)八答”全面解密LED芯片知識(shí)
      技術(shù)中心

      “八問(wèn)八答”全面解密LED芯片知識(shí)

      摘要:1、 LED芯片的制造流程是怎樣的? LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊,同時(shí)盡可能多地出光。渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,其主要在1.33×10?4Pa高真空下,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方

      閱讀:10912014年06月25日 14:52:58
      LED芯片制作中襯底知識(shí)大全
      技術(shù)中心

      LED芯片制作中襯底知識(shí)大全

      摘要:外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同

      閱讀:12392014年06月25日 14:52:58
      淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法
      技術(shù)中心

      淺析LED外延片質(zhì)量辨別方法

      摘要:外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜,展完外延片,接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試,符合要求的就是良品,其它為不良品(電壓偏差很大,波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極,N極),接下來(lái)就用激光切割外延片,然后百分百分撿,根據(jù)不同

      閱讀:13712014年06月25日 14:52:58
      不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究
      技術(shù)中心

      不同基板1W硅襯底藍(lán)光LED老化性能研究

      摘要:GaN材料自20世紀(jì)90年代以來(lái)逐漸在顯示、指示、背光和固態(tài)照明等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,已形成巨大的市

      閱讀:10942014年06月25日 14:52:58
      解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
      技術(shù)中心

      解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

      摘要:發(fā)光二極體( LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源,耗電量?jī)H約同亮度傳統(tǒng)光源的20%,并具有體積

      閱讀:17742014年06月25日 14:52:58
      Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析
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      Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

      摘要:2013年9月5日,首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開(kāi),來(lái)自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會(huì)議。 蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千先生在會(huì)上

      閱讀:12442014年06月25日 14:52:59
      硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比照明
      技術(shù)中心

      硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比照明

      摘要:傳統(tǒng)的氮化鎵(GaN) LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅(SiC)為襯底,因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好,襯底常用尺寸為2"或4"。業(yè)界一直在致力于用供應(yīng)更為豐富的硅晶圓(6"或更大)來(lái)發(fā)展GaN,因?yàn)楣枰r底可顯著降低成本,而且可以在自動(dòng)化IC生產(chǎn)線上制造

      閱讀:11842014年06月25日 14:52:59
      LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程
      技術(shù)中心

      LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

      摘要:目前在 LED制程中,藍(lán)寶石基板雖然受到來(lái)自Si與GaN基板的挑戰(zhàn),但是考慮到成本與良率,藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢(shì),可以預(yù)見(jiàn)接下來(lái)藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化(PSS)。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石,因此對(duì)它進(jìn)行減薄與表面平坦化加工非常困難,

      閱讀:10752014年06月25日 14:52:59
      LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
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      LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

      摘要:技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn),使 LED成本大幅度下降,推動(dòng)了LED應(yīng)用的全面發(fā)展。為進(jìn)一步提升LED節(jié)能效果,全球相關(guān)單位均投入極大的研發(fā)力量,對(duì)LED性能、可靠性進(jìn)行深入的研究開(kāi)發(fā),特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術(shù)研究方面,已取得突破性成果。對(duì)LED發(fā)展提出

      閱讀:12032014年06月25日 14:52:59

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